Kali ini kita selingkuh ke Analog dulu yuk , kita bikin Pemancar radio FM paling sederhana. Di inspirasi dari pertanyaan seorang anak SMA yg gagal meniru skematik pemancar FM di sebuah blog, kemudian dia meminta bantuanku untuk memperbaiki. Hasil googling dapet video youtube yg menuntunku menuju website jepang http://anarchy.translocal.jp/radio/micro/

Di salah satu bagian web jadulnya ada petunjuk membuat radio FM sederhana.

Gambar skematik seperti ini :

klik disini untuk gambar skematik lebih jelas 

nah..ternyata ketika ku cek di kotak komponen punyaku ada beberapa yg cocok dan yang lainnya aku bikin dengan pendekatan nilai komponen dengan menggabungkan komponen2 berbeda.

dari skematik di web asli, aku lakukan beberapa penyesuaian :

- R 27 Kohm aku buat dari gabungan R 10K + R 12 K , jadi nilainya mendekati

- Kapasitor 10pF aku buat dari seri 2 kasitor 22pF, jadi nilai sekitar 11pF

- Transistor yg kupakai transistor NPN umum 2N3904, ga bagus sebenernya respon frekuensi tinggi, tapi ga masalah

- Lilitan / Kumparan dibuat dari kabel jumper atau wrap kabel yang biasanya di gunakan untuk menyambung rangkaian di PCB lubang. Lilitan dibuat dengan melilitkan kabel 4-5 loop di obeng kecil, kemudian ujung2nya diluruskan biar gampang disolder. Kumparan ini bisa dibuat dengan kabel email, kabel dinamo tamiya ato kabel balast lampu neon. Ingat ujung kabel dikupas saat menyolder karena ada lapisannya

- Kapasitor trimmer/Varco aku pake yg ukuran 20 - 50 PF , bisa juga tidak dipergunakan tapi akan kesusahan ketika tuning lilitan

- PCB yang aku gunakan PCB lobang, sedangkan aslinya menggunakan PCB polos, sehingga Ground plane yg lebar akan memperkecil interfrensi. Jadi PCB lobang aku kasi groundplane pake timah yg disolder memanjang

- Batere yg dipake 3 buah AA, jadi tegangannya 4.5 V

Setelah berkutat beberapa lama dan ga suskses, akhirnya aku pikir lebih baik menunggu sape lewat tengah malem, biar siaran radio publik pada off, dan akhirnya berhasil mancar di range 90-102 MHZ. Aku gunakan mp3 player sebagai inputan audio

Trick tuning frekuensi sebagai berikut :

- Lilitan diusahakan lebar / kerenggangan seragam, semakin lebar/renggang maka frek semakin tinggi dan sebaliknya, jika versi tanpa varco / trimmer maka penentuan frekuensi menggunakan pengaturan jarak kerenggangan lilitan. Susah bangett...

- Putar2 varco dengan obeng trimmer, jika pake obeng biasa maka akan terpengaruh tangan yg nge-ground, pilih frek yg kosong di radio penerima, putar varco pelan2 sampe suara muncul. biasanya akan terjadi offset ketika obeng dilepas, kira2 frek turun 0.6 - 1 MHz. Contoh, misal frek yg diingini 94MHZ, maka radio dipanteng frek 95Mhz ketika muter2 varco sampe suara muncul

- Antena pemancar dapat dibuat dari kabel tunggal

dari hasil pemantauan siaran dapat diterima sampe jarak 15 meter (LOS / tanpa halangan) 

Belajar untuk membangun pujian Anda sendiri pemancar FM mini yang Cleveland Institute of Electronics.Ini proyek yang menyenangkan akan menunjukkan cara untuk membangun sebuah perangkat penyiaran mini yang dapat mengirimkan sinyal audio hingga seperempat mil untuk setiap penerima FM. Sangat mudah untuk membangun dan pengalaman belajar yang baik dan terbaik dari semua - gratis!Proyek ini ditulis oleh salah satu instruktur CIE ini. Ini berfungsi sebagai alat tangan-on belajar bagi siswa kita atau siapapun yang tertarik pada elektronik pemecahan masalah.Memiliki jangkauan hingga seperempat mil, bagus untuk sistem keamanan rumah, perangkat bayi pemantauan atau hanya sebuah gadget mendengarkan bahwa Anda dapat menempatkan di mana saja!

C4 adalah kecil, sekrup-adjustable, kapasitor trimmer. Set penerima FM untuk ruang, jelas kosong. Kemudian, dengan alat non-konduktif, menyesuaikan kapasitor ini untuk penerimaan yang paling jelas. Meskipun transmitter ini dirancang untuk band siaran FM, dapat disetel sampai 2 meter, dan lainnya VHF band dengan mengubah nilai dari C4 dan L1.

MerapatkanL1 adalah 9 putaran # 22 mengukur kawat padat (udara-luka) koil berdiameter 1/4 inci. Gunakan baut diameter 1/4 inci dan membungkus kawat dalam benang.Setelah pemasangan coil, kembali baut.C1, C2, C3, dan C5 adalah kapasitor jenis keramik, sebaiknya NPO (low noise) atau setara. Namun, Anda dapat menggunakan jenis Anda memiliki sekitar, tapi tidak menggunakan kapasitor elektrolit atau tantalum.Sebuah transistor 2N3904 digunakan untuk Q1 dan Q2. The 2N3904 adalah tujuan silikon umum NPN transistor bipolar digunakan untuk aplikasi switching dan penguat. Namun, Anda mungkin menggantikan 2N3904 dengan 2N2222 atau 2N3906, ini juga transistor tujuan umum.

Kembali
Antena adalah 8 "sampai 18" dari setiap jenis kawat.
Cobalah untuk menyimpan semua mengarah sesingkat mungkin untuk mencegah kapasitansi.
TRANSMITTER PARTS:

R1, R4, R6 10K
R2 1Meg
R3 100K
R5 100 ohm
R7 1K
C1, C2 0.1uf
C3 0.01uF 

C4 5 - 30pf
C5 4.7pf
Q1, Q2 2N3904
L1 9 berubah dari # 22 pengukur
Mikrofon Electret Mic
Circuit Board
Baterai Klip

 

Waos ingkang Pepak »»  

Transistor

Dari Wikipedia bahasa Indonesia, ensiklopedia bebas

Langsung ke: navigasi, cari

Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya.

Transistor through-hole (dibandingkan dengan pita ukur sentimeter)

Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal, yaitu Basis (B), Emitor (E) dan Kolektor (C). Tegangan yang di satu terminalnya misalnya Emitor dapat dipakai untuk mengatur arus dan tegangan yang lebih besar daripada arus input Basis, yaitu pada keluaran tegangan dan arus output Kolektor.
Transistor merupakan komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil (stabilisator) dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori dan fungsi rangkaian-rangkaian lainnya.

Daftar isi 1 Cara kerja semikonduktor 2 Cara kerja transistor 3 Jenis-jenis transistor 3.1 BJT 3.2 FET 4 Pranala luar

Cara kerja semikonduktor

Pada dasarnya, transistor dan tabung vakum memiliki fungsi yang serupa; keduanya mengatur jumlah aliran arus listrik.
Untuk mengerti cara kerja semikonduktor, misalkan sebuah gelas berisi air murni. Jika sepasang konduktor dimasukan kedalamnya, dan diberikan tegangan DC tepat dibawah tegangan elektrolisis (sebelum air berubah menjadi Hidrogen dan Oksigen), tidak akan ada arus mengalir karena air tidak memiliki pembawa muatan (charge carriers). Sehingga, air murni dianggap sebagai isolator. Jika sedikit garam dapur dimasukan ke dalamnya, konduksi arus akan mulai mengalir, karena sejumlah pembawa muatan bebas (mobile carriers, ion) terbentuk. Menaikan konsentrasi garam akan meningkatkan konduksi, namun tidak banyak. Garam dapur sendiri adalah non-konduktor (isolator), karena pembawa muatanya tidak bebas.
Silikon murni sendiri adalah sebuah isolator, namun jika sedikit pencemar ditambahkan, seperti Arsenik, dengan sebuah proses yang dinamakan doping, dalam jumlah yang cukup kecil sehingga tidak mengacaukan tata letak kristal silikon, Arsenik akan memberikan elektron bebas dan hasilnya memungkinkan terjadinya konduksi arus listrik. Ini karena Arsenik memiliki 5 atom di orbit terluarnya, sedangkan Silikon hanya 4. Konduksi terjadi karena pembawa muatan bebas telah ditambahkan (oleh kelebihan elektron dari Arsenik). Dalam kasus ini, sebuah Silikon tipe-n (n untuk negatif, karena pembawa muatannya adalah elektron yang bermuatan negatif) telah terbentuk.
Selain dari itu, silikon dapat dicampur dengan Boron untuk membuat semikonduktor tipe-p. Karena Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling luarnya, pembawa muatan yang baru, dinamakan "lubang" (hole, pembawa muatan positif), akan terbentuk di dalam tata letak kristal silikon.
Dalam tabung hampa, pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh emisi thermionic dari sebuah katode yang dipanaskan oleh kawat filamen. Karena itu, tabung hampa tidak bisa membuat pembawa muatan positif (hole).
Dapat dilihat bahwa pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak menolak, sehingga tanpa adanya gaya yang lain, pembawa-pembawa muatan ini akan terdistribusi secara merata di dalam materi semikonduktor. Namun di dalam sebuah transistor bipolar (atau diode junction) dimana sebuah semikonduktor tipe-p dan sebuah semikonduktor tipe-n dibuat dalam satu keping silikon, pembawa-pembawa muatan ini cenderung berpindah ke arah sambungan P-N tersebut (perbatasan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n), karena tertarik oleh muatan yang berlawanan dari seberangnya.
Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas dari materi semikonduktor, asalkan tata-letak kristal silikon tetap dipertahankan. Dalam sebuah transistor bipolar, daerah terminal emiter memiliki jumlah doping yang lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. Rasio perbandingan antara doping emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor yang menentukan sifat penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut.
Jumlah doping yang diperlukan sebuah semikonduktor adalah sangat kecil, dalam ukuran satu berbanding seratus juta, dan ini menjadi kunci dalam keberhasilan semikonduktor. Dalam sebuah metal, populasi pembawa muatan adalah sangat tinggi; satu pembawa muatan untuk setiap atom. Dalam metal, untuk mengubah metal menjadi isolator, pembawa muatan harus disapu dengan memasang suatu beda tegangan. Dalam metal, tegangan ini sangat tinggi, jauh lebih tinggi dari yang mampu menghancurkannya. Namun, dalam sebuah semikonduktor hanya ada satu pembawa muatan dalam beberapa juta atom. Jumlah tegangan yang diperlukan untuk menyapu pembawa muatan dalam sejumlah besar semikonduktor dapat dicapai dengan mudah. Dengan kata lain, listrik di dalam metal adalah inkompresible (tidak bisa dimampatkan), seperti fluida. Sedangkan dalam semikonduktor, listrik bersifat seperti gas yang bisa dimampatkan. Semikonduktor dengan doping dapat diubah menjadi isolator, sedangkan metal tidak.
Gambaran di atas menjelaskan konduksi disebabkan oleh pembawa muatan, yaitu elektron atau lubang, namun dasarnya transistor bipolar adalah aksi kegiatan dari pembawa muatan tersebut untuk menyebrangi daerah depletion zone. Depletion zone ini terbentuk karena transistor tersebut diberikan tegangan bias terbalik, oleh tegangan yang diberikan di antara basis dan emiter. Walau transistor terlihat seperti dibentuk oleh dua diode yang disambungkan, sebuah transistor sendiri tidak bisa dibuat dengan menyambungkan dua diode. Untuk membuat transistor, bagian-bagiannya harus dibuat dari sepotong kristal silikon, dengan sebuah daerah basis yang sangat tipis.

Cara kerja transistor

Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar transistor, bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET), yang masing-masing bekerja secara berbeda.
Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut.
FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat diubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut.

Jenis-jenis transistor

	PNP		P-channel
	NPN		N-channel
BJT		JFET

Simbol Transistor dari Berbagai Tipe

Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:

• Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide
• Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface Mount, IC, dan lain-lain
• Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET, VMOSFET, MESFET, HEMT, SCR serta pengembangan dari transistor yaitu IC (Integrated Circuit) dan lain-lain.
• Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau P-channel
• Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power, High Power
• Maximum frekuensi kerja: Low, Medium, atau High Frequency, RF transistor, Microwave, dan lain-lain
• Aplikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi, dan lain-lain

BJT

BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua diode yang terminal positif atau negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E), kolektor (C), dan basis (B).
Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau . β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT.

FET

FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). Berbeda dengan IGFET, terminal gate dalam JFET membentuk sebuah diode dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). Secara fungsinya, ini membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum, yang juga membentuk sebuah diode antara grid dan katode. Dan juga, keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode", keduanya memiliki impedansi input tinggi, dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input.
FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode, gate adalah negatif dibandingkan dengan source, sedangkan dalam enhancement mode, gate adalah positif. Untuk kedua mode, jika tegangan gate dibuat lebih positif, aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. Untuk P-channel FET, polaritas-polaritas semua dibalik. Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode, dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode.




sumber:http://id.wikipedia.org/wiki/Transistor

Waos ingkang Pepak »»  

Untuk dapat menyalahkan lampu TL menggunakan batterai/aqqu, diperlukan sebuah inverter. Dengan inverter tersebut, tegangan 12 Volt DC dirubah menjadi 230 Volt AC.

Dalam kesempatan ini, saya mencoba mencontohkan alat inverter yang paling sederhana yang dapat kita buat sendiri.

Cara ini menghasilkan kurang lebih 300 Watt saja. Jika mau lebih, gunakan transistor diparalel dan diberi pendingin (heatsink) dan travonya beramper besar.

Perhatian:: HATI-HATI, TEGANGAN 220 VOLT CUKUP KUAT UNTUK MEMBUAT ANDA WAFAT.

CATATAN:

Untuk mendapatkan Resistor 690 Ohm 1,5 Watt, dapat memparalel 3 buah resistor 2,200 Ohm 0,5 Watt. Jadi untuk keperluan diatas, diperlukan 6 buah resistor 2,200 Ohm 0,5 Watt.

Waos ingkang Pepak »»